Около года назад Hewlett Packard и Hynix Semiconductor анонсировали свои намерения разработать мемристоры, которые не только преодолеют предел, остановивший развитие флэш памяти, но и снимут с главного процессора нагрузку по записи и извлечению информации.

Компания не спешила вкладывать денег в исследования, пока ей не предоставили результатов о электрических свойствах мемристора. Как и основные радиоэлементы, мемристор достаточно просто устроен - это тонкая пленка диоксида титана между двумя металлическими электродами. Лаборатория HP и Калифорнийский университет в Санта-Барбаре опубликовали в журнале Нанотехнология, какие изменения происходят в каналах мемристора размером в 100 нм.

Исследователи использовали рентгеновское излучения для отслеживания возникновения переключения сопротивления. При нагревании происходит кристаллизация оксида, окружающего канал, и образуется своеобразный рисунок с горячей точкой возле нижнего электрода, что обнаруживает местоположение переключения.

Также был проведен опыт, когда в соединении оксида титана наблюдается недостаток атомов кислорода. Эксперимент не показал влияния изменения композиции титана и кислорода на работу мемристора.

Долгий путь от теории (1971 г.) к реализации (первая демонстрация в 2008) пройден, и HP дает ориентировочный прогноз по выходу на рынок с новой разработкой на 2014 год.